ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
ZXMN2A01E6TA
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Diodes Incorporated
ເລະທີ່ສ່ວນ:
ZXMN2A01E6TA-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 2.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
ສິນຄ້າ:
7328 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12905422
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
xXhN
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
ZXMN2A01E6TA ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
303 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.1W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-23-6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
ZXMN2
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
ZXMN2A01E6CT-DG
ZXMN2A01E6CT-NDR
ZXMN2A01E6TR-DG
ZXMN2A01E6TR-NDR
ZXMN2A01E6DKR
ZXMN2A01E6DKRINACTIVE
1034-ZXMN2A01E6CT
31-ZXMN2A01E6TATR
ZXMN2A01E6DKR-DG
ZXMN2A01E6TR
31-ZXMN2A01E6TACT
ZXMN2A01E6CT
31-ZXMN2A01E6TADKR
1034-ZXMN2A01E6TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ZXMP10A18KTC
MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
IRFU014PBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
ZXMP10A16KTC
MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
