ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
ZXMN10B08E6QTA
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Diodes Incorporated
ເລະທີ່ສ່ວນ:
ZXMN10B08E6QTA-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
ສິນຄ້າ:
12978860
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
ZXMN10B08E6QTA ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
497 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.1W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-26
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
31-ZXMN10B08E6QTATR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
ZXMN10B08E6TA
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5553
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
ZXMN10B08E6TA-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.23
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DMP2016UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMT12H007SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMT10H009LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
