ZXMN10A25GTA
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

ZXMN10A25GTA

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

ZXMN10A25GTA-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

ສິນຄ້າ:

17350 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12886962
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

ZXMN10A25GTA ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
859 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-223-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
ZXMN10

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ZXMN10A25G

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
ZXMN10A25GTATR
ZXMN10A25GCT-DG
ZXMN10A25GTACTINACTIVE
ZXMN10A25GTR-DG
ZXMN10A25GTADKRINACTIVE
ZXMN10A25GTATRINACTIVE
ZXMN10A25GTR
ZXMN10A25GTACT
ZXMN10A25GCT
ZXMN10A25G
ZXMN10A25GDKR
ZXMN10A25GTADKR
ZXMN10A25GDKR-DG

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
diodes

ZXMN3A02X8TC

MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

diodes

ZVP2120GTA

MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223

diodes

ZXMN6A25G

MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

diodes

ZXMN3A14FQTA

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3