ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
ZXM66P02N8TA
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Diodes Incorporated
ເລະທີ່ສ່ວນ:
ZXM66P02N8TA-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
ສິນຄ້າ:
12904125
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
ZXM66P02N8TA ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2068 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.56W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SO
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
500
ຊື່ ອື່ນໆ
ZXM66P02N8TR-NDR
ZXM66P02N8DKR
ZXM66P02N8CT
ZXM66P02N8TR
ZXM66P02N8CT-NDR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMP2022LSS-13
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
37400
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMP2022LSS-13-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.22
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDS6375
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2121
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDS6375-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.32
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ZVN2120GTC
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
VN10LFTA
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
ZVP2120GTC
MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
