DXTN5860DFDB-7

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

DXTN5860DFDB-7

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

DXTN5860DFDB-7-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 115MHz 690 mW Surface Mount U-DFN2020-3 (Type B)

ສິນຄ້າ:

3000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12978846

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

DXTN5860DFDB-7 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ

ຜູ້ຜະລິດ

Diodes Incorporated

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ Transistor

NPN

ກະແສ - Collector (Ic) (Max)

6 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60 V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

315mV @ 300mA, 6A

ກະແສ - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

280 @ 500mA, 2V

ພະລັງ - Max

690 mW

Frequency - ການປ່ຽນແປງ

115MHz

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

3-UDFN Exposed Pad

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

U-DFN2020-3 (Type B)

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

31-DXTN5860DFDB-7CT

31-DXTN5860DFDB-7DKR

31-DXTN5860DFDB-7TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

diodes

BCX5316QTA

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T&

diodes

DXTN22040DFG-7

PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

ZTX653QSTZ

PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

diodes

DXTN06080BFG-7

PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3