DMT6002LPS-13
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

DMT6002LPS-13

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

DMT6002LPS-13-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)

ສິນຄ້າ:

2486 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12889174
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

DMT6002LPS-13 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6555 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.3W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerDI5060-8 (Type K)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DMT6002

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
31-DMT6002LPS-13DKR
DMT6002LPS-13-DG
31-DMT6002LPS-13TR
31-DMT6002LPS-13CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J66MFV,L3F

MOSFET P-CH 20V 800MA VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3466(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K324R,LF

MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3309(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM