DMT12H060LCA9-7
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

DMT12H060LCA9-7

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

DMT12H060LCA9-7-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 115 V 3.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount X2-DSN1515-9

ສິນຄ້າ:

13002612
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

DMT12H060LCA9-7 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
115 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±5.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.1W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
X2-DSN1515-9
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
9-SMD, No Lead
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DMT12

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
31-DMT12H060LCA9-7

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SIHF085N60EF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU

onsemi

NTMFS4C905NAT1G

TRENCH 6 30V NCH

diodes

DMN3061S-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

comchip-technology

CMS50P04D-HF

MOSFET P-CH 40V 11A/50A DPAK