DMN6069SFVW-7
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

DMN6069SFVW-7

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

DMN6069SFVW-7-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 4A (Ta), 14A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

ສິນຄ້າ:

12987192
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

DMN6069SFVW-7 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4A (Ta), 14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
740 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount, Wettable Flank
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerVDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DMN6069

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
31-DMN6069SFVW-7TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMN6069SFVWQ-7
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMN6069SFVWQ-7-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.14
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SI2367DS-T1-BE3

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

diodes

DMN2310UTQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R

vishay-siliconix

SIHA14N60E-GE3

N-CHANNEL 600V

panjit

PJQ1916_R1_00201

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M