DMN3069L-13
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

DMN3069L-13

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

DMN3069L-13-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3

ສິນຄ້າ:

13000243
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

DMN3069L-13 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
309 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
800mW
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-23-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DMN3069

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10,000
ຊື່ ອື່ນໆ
31-DMN3069L-13TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMN3069L-7
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMN3069L-7-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.05
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
taiwan-semiconductor

TSM4806CS

20V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G65P06K

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.

goford-semiconductor

G1002L

N100V,RD(MAX)<250M@10V,VTH1.2V~2

vishay-siliconix

SI2316BDS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET