DMN2710UT-7
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

DMN2710UT-7

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

DMN2710UT-7-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 870mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-523

ສິນຄ້າ:

13000646
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

DMN2710UT-7 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
870mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
42 pF @ 16 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
320mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-523
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-523
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DMN2710

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
31-DMN2710UT-7TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMN2710UT-13
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMN2710UT-13-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.04
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMN2710UTQ-7
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1532
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMN2710UTQ-7-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.05
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
diodes

DMPH4011SK3-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R

goford-semiconductor

G1002L

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L

diodes

DMN3060LWQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R

diodes

DMN2451UFB4Q-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-