DMN2011UTS-13

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

DMN2011UTS-13

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

DMN2011UTS-13-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 20 V 21A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

ສິນຄ້າ:

165 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12884833

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

DMN2011UTS-13 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Diodes Incorporated

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

21A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±12V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2248 pF @ 10 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

1.3W (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

8-TSSOP

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

DMN2011

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

DMN2011UTS-13-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

2,500

ຊື່ ອື່ນໆ

DMN2011UTS-13-DG

DMN2011UTS-13DICT

DMN2011UTS-13DIDKR

DMN2011UTS-13DITR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

DMP22D4UFO-7B

MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN

diodes

DMN63D1LT-13

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

DMP2040UVT-13

MOSFET P-CH 20V TSOT26

diodes

BSS123W-7-F

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323