ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
DMN2009LSS-13
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Diodes Incorporated
ເລະທີ່ສ່ວນ:
DMN2009LSS-13-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
ສິນຄ້າ:
1816 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12888582
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
DMN2009LSS-13 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2555 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SO
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DMN2009
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
31-DMN2009LSS-13DKR
31-DMN2009LSS-13TR
31-DMN2009LSS-13CT
DMN2009LSS-13-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI4408DY-T1-E3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5837
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI4408DY-T1-E3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.05
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMN2009USS-13
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1557
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMN2009USS-13-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.18
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DMN2005UFGQ-13
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
DMN62D0UT-13
MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
DMTH43M8LFGQ-7
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333