DMN2008LFU-7

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

DMN2008LFU-7

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

DMN2008LFU-7-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

Mosfet Array 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)

ສິນຄ້າ:

5679 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12888766

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

DMN2008LFU-7 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ

ຜູ້ຜະລິດ

Diodes Incorporated

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

ການຕັ້ງຄ່າ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

ລັກສະນະ FET

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

14.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250A

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42.3nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1418pF @ 10V

ພະລັງ - Max

1W

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

6-UFDFN Exposed Pad

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

U-DFN2030-6 (Type B)

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

DMN2008

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

DMN2008LFU-7-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

DMN2008LFU-7DIDKR

DMN2008LFU-7DITR

DMN2008LFU-7DICT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

diodes

DMT3020LFDB-13

MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN

diodes

DMN2400UV-7

MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

DMNH6035SPDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50

diodes

DMG6898LSD-13

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO