DMN1019UFDE-7

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

DMN1019UFDE-7

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

DMN1019UFDE-7-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 12 V 11A (Ta) 690mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)

ສິນຄ້າ:

314431 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12888265

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

DMN1019UFDE-7 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Diodes Incorporated

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

11A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50.6 nC @ 8 V

Vgs (Max)

±8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2425 pF @ 10 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

690mW (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

U-DFN2020-6 (Type E)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

6-PowerUDFN

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

DMN1019

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

DMN1019UFDE-7-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

DMN1019UFDE-7DIDKR

DMN1019UFDE-7DITR

DMN1019UFDE7

DMN1019UFDE-7DICT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

diodes

DMTH6016LFVWQ-7

MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333

diodes

DMP2007UFG-7

MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333

diodes

BSS123TA

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

diodes

DMG4496SSS-13

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP