ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
DMN1002UCA6-7
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Diodes Incorporated
ເລະທີ່ສ່ວນ:
DMN1002UCA6-7-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 1.1W Surface Mount X4-DSN3118-6
ສິນຄ້າ:
12902665
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
nONp
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
DMN1002UCA6-7 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68.6nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
ພະລັງ - Max
1.1W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-SMD, No Lead
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
X4-DSN3118-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DMN1002
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
DMN1002UCA6-7DITR
DMN1002UCA6-7DICT
DMN1002UCA6-7DIDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ZXMN6A09DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
ZXMN6A09DN8TC
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
ZXMC3AM832TA
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
