DMG3415UFY4-7
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

DMG3415UFY4-7

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Diodes Incorporated

ເລະທີ່ສ່ວນ:

DMG3415UFY4-7-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 16 V 2.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN2015H4-3

ສິນຄ້າ:

12890402
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

DMG3415UFY4-7 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
16 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
281.9 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
400mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
DFN2015H4-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
3-XFDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DMG3415

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
DMG3415UFY47
DMG3415UFY4-7DIDKR
DMG3415UFY4-7DICT
DMG3415UFY4-7DITR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMP2045UFY4-7
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2914
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMP2045UFY4-7-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.07
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J35AFS,LF

MOSFET P-CH 20V 250MA SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC6010-H(TE85L,FM

MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6

toshiba-semiconductor-and-storage

TK5P53D(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 525V 5A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J140TU,LF

MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM