ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
DDA123JK-7-F
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Diodes Incorporated
ເລະທີ່ສ່ວນ:
DDA123JK-7-F-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-26
ສິນຄ້າ:
12890666
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
DDA123JK-7-F ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ຄວາມຮວມສນານ ບິໂປລາ ທຣານຊິສຕອນ ອາລະວິເສດ, ພຣີ-ບາຍສດ
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
-
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
250MHz
ພະລັງ - Max
300mW
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-26
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
DDA123
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IMB10AT110
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5988
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IMB10AT110-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.08
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RN2605(TE85L,F)
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
12
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RN2605(TE85L,F)-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.05
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DDA123JU-7-F
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5700
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DDA123JU-7-F-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.04
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
RN1707,LF
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
RN2708,LF
PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
RN2903FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
