ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BS170P
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Diodes Incorporated
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BS170P-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92
ສິນຄ້າ:
12883022
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BS170P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
270mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
625mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-92
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BS170
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BS170P-NDR
Q2995972
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
VN10KN3-G-P002
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2970
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
VN10KN3-G-P002-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.50
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
VN0808L-G
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
579
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
VN0808L-G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.03
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DMP4025SFG-7
MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333
DMP1022UFDE-7
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
DMN90H8D5HCTI
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB