ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
ALD114913PAL
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Advanced Linear Devices Inc.
ເລະທີ່ສ່ວນ:
ALD114913PAL-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
ສິນຄ້າ:
13216832
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
ALD114913PAL ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Advanced Linear Devices
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
EPAD®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
ລັກສະນະ FET
Depletion Mode
Drain to Source Voltage (Vdss)
10.6V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500Ohm @ 2.7V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.26V @ 1µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.5pF @ 5V
ພະລັງ - Max
500mW
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
0°C ~ 70°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-DIP (0.300", 7.62mm)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-PDIP
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
ALD114913
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
1014-1065
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ALD1108ESCL
MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC
ALD110904PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD310704ASCL
MOSFET 4P-CH 8V 16SOIC
